 для авіації і космосу.){kind=link}
Predstavitev diskretnih pomnilniških čipov 1 Gbit (128 MB) STT-MRAM za vesoljske aplikacije je bila pravkar objavljena. To je mnogokrat gostejši magnetorezivni pomnilnik od prej ponujenega. Dejanska gostota namestitve pomnilniških elementov STT-MRAM se poveča za 64-krat, če govorimo o izdelkih podjetja Micross, ki proizvaja izjemno zanesljivo elektronsko polnjenje za vesoljsko in obrambno industrijo.
Čipi STT-MRAM Micross temeljijo na tehnologiji ameriškega podjetja Avalanche Technology. Avalanche je leta 2006 ustanovil Peter Estakhri, rojen v Lexarju in Cirrus Logic. Poleg Avalanche, Everspin in Samsung. Prvi deluje v sodelovanju z GlobalFoundries in se osredotoča na izdajo vgrajenih in diskretnih STT-MRAM s tehnološkimi standardi 22 nm, drugi (Samsung), medtem ko sprošča STT-MRAM v obliki 28 nm blokov, vgrajenih v krmilnike. Blok STT-MRAM z zmogljivostjo 1 Gb, mimogrede, Samsung predstavljen pred skoraj tremi leti.
Zasluga Microssa se lahko šteje za izdajo diskretnega 1Gbit STT-MRAM, ki je enostaven za uporabo v elektroniki namesto NAND-flash. Pomnilnik STT-MRAM deluje v širšem temperaturnem območju (od -40° C do 125° C) s skoraj neskončnim številom prepisovalnih ciklov. Ne boji se sevanja in temperaturnih sprememb in lahko hrani podatke v celicah tudi do 10 let, da o večjih hitrostih branja in pisanja ter manjši porabi energije niti ne govorimo.
Spomnimo se, da pomnilnik STT-MRAM shranjuje podatke v celicah v obliki magnetizacije. Ta učinek so odkrili leta 1974 med razvojem trdih diskov pri IBM-u. Natančneje, takrat je bil odkrit magnetorezivni učinek, ki je služil kot osnova tehnologije MRAM. Mnogo kasneje je bilo predlagano spreminjanje magnetizacije pomnilniške plasti z uporabo učinka prenosa spina elektrona (magnetnega momenta). Tako je bila imenu MRAM dodana kratica STT. Smer spintronike v elektroniki temelji na prenosu spina, ki močno zmanjša porabo čipov zaradi izjemno majhnih tokov v procesu.
Preberite tudi: