Pričakuje se, da Samsung bo prihodnji teden objavil začetek množične proizvodnje 3nm čipov, poroča Yonhap News. S tem je podjetje pred TSMC, ki naj bi začelo s proizvodnjo 3nm čipov v drugi polovici tega leta.
V primerjavi s 5nm procesom (ki je bil uporabljen za Snapdragon 888 in Exynos 2100) bo Samsungovo 3nm vozlišče zmanjšalo površino za 35%, povečalo zmogljivost za 30% in zmanjšalo porabo energije za 50%.
To bo doseženo s prehodom na zasnovo tranzistorja Gate-All-Around (GAA). Je naslednji korak po FinFET, saj omogoča zmanjšanje velikosti tranzistorjev brez ogrožanja njihove sposobnosti prevajanja toka. Zasnova GAAFET, uporabljena na 3nm vozlišču, je prikazana na spodnji sliki.
Prejšnji mesec je tovarno obiskal ameriški predsednik Joe Biden Samsung v Pyeongtaeku, da bi sodeloval pri predstavitvi 3nm tehnologije Samsung. Lani so se pojavile govorice, da bi lahko podjetje vložilo 10 milijard dolarjev v izgradnjo 3nm livarne v Teksasu. Te naložbe so narasle na 17 milijard dolarjev, tovarna naj bi začela delovati leta 2024.
V vsakem primeru je največja skrb pri ustvarjanju novega vozlišča izhod. Oktobra lani Samsung izjavil, da se zmogljivost 3nm procesa "približuje isti ravni kot 4nm proces". Čeprav podjetje ni predstavilo uradnih podatkov, analitiki menijo, da je 4 nm vozlišče Samsung je bilo povezano s težavami pri proizvodnji.
Vozlišče druge generacije 3nm se pričakuje leta 2023, načrt podjetja pa vključuje tudi vozlišče, ki temelji na 2nm MBCFET leta 2025.
Lahko pomagate Ukrajini v boju proti ruskim okupatorjem. Najboljši način za to je donacija sredstev oboroženim silam Ukrajine prek Savelife ali preko uradne strani NBU.
Preberite tudi:
- Pogled Samsung Galaxy S21 FE 5G: zdaj zagotovo paradni konj oboževalcev
- Pogled Samsung Galaxy Zavihek S7 FE: presenetljivo pameten kompromis